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硅基光延時(shí)芯片超小尺寸

簡(jiǎn)要描述：硅基光延時(shí)芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-05-10
訪問(wèn) 量：1556

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詳細(xì)介紹

品牌	梓冠

硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片

〖簡(jiǎn)介Introduction〗

梓冠光電的單片集成 6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

硅基6 比特光延時(shí)芯片

特性Features〗

n 高速切換

高延時(shí)精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

〖應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗系統(tǒng)

〖主要性能指標(biāo) Specifications〗

性能指標(biāo) Parameter	單位 Unit	典型值 Typical value	備注 Notes
延時(shí)位數(shù) Delay bits	/	6	可定制 Can be customized
最小延時(shí)步進(jìn) Min.step-delay	ps	59.2	可定制 Can be customized
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量 Adjustable max.delay	ps	3729.6
延時(shí)偏差 Delay deviation	ps	≤±0.5	≤±1@max
延時(shí)切換時(shí)間 Delay switching time	µs	≤1
插入損耗 Insertion loss	dB	14
各延時(shí)態(tài)損耗差異 Delay state loss difference	dB	±0.5
波損耗 Return loss	dB	45
芯片尺寸 Chip dimension	mm	22×10×0.7

〖2×2 光開(kāi)關(guān)（圖 1）的“交叉"、“直通"傳輸狀態(tài)定義如下〗

〖The "Cross" and "Bar" transmission states of the 2×2 optical switch (Figure 1) is defined as follows〗

“交叉"狀態(tài)（Cross 態(tài)）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為"交叉“態(tài)（A→D）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號(hào)輸出，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為"交叉“態(tài)（B→C）。

“直通"態(tài)（bar 態(tài)）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號(hào)，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為"直通“態(tài)（A→C）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為“直通"態(tài)（B→àD。

序號(hào)No.	名稱(chēng)Name	描述 Description	序號(hào) No.	名稱(chēng) ame	描述 Description
1	DMY	dummy	19	CH5+C	開(kāi)關(guān) 5 正極 cross 態(tài)
2	DMY	dummy	20	CH5-	開(kāi)關(guān) 5 負(fù)極
3	DMY	dummy	21	CH5+B	開(kāi)關(guān) 5 正極 bar 態(tài)
4	DMY	dummy	22	CH6+C	開(kāi)關(guān) 6 正極 cross 態(tài)
5	DMY	dummy	23	CH6-	開(kāi)關(guān) 6 負(fù)極
6	DMY	dummy	24	CH6+B	開(kāi)關(guān) 6 正極 bar 態(tài)
7	CH4+B	開(kāi)關(guān) 1 正極 bar 態(tài)	25	CH7+C	開(kāi)關(guān) 7 正極 cross 態(tài)
8	CH4-	開(kāi)關(guān) 1 負(fù)極	26	CH7-	開(kāi)關(guān) 7 負(fù)極
9	CH4+C	開(kāi)關(guān) 1 正極 cross 態(tài)	27	CH7+B	開(kāi)關(guān) 7 正極 bar 態(tài)
10	CH3+B	開(kāi)關(guān) 2 正極 bar 態(tài)	28	CH8+	To be defined
11	CH3-	開(kāi)關(guān) 2 負(fù)極	29	CH8-	To be defined
12	CH3+C	開(kāi)關(guān) 2 正極 cross 態(tài)	30	CH8+	To be defined
13	CH2+B	開(kāi)關(guān) 3 正極 bar 態(tài)	31	DMY	dummy
14	CH2-	開(kāi)關(guān) 3 負(fù)極	32	DMY	dummy
15	CH2+C	開(kāi)關(guān) 3 正極 cross 態(tài)	33	DMY	dummy
16	CH1+B	開(kāi)關(guān) 4 正極 bar 態(tài)	34	DMY	dummy
17	CH1-	開(kāi)關(guān) 4 負(fù)極	35	DMY	dummy
18	CH1+C	開(kāi)關(guān) 4 正極 cross 態(tài)	36	DMY	dummy

硅基6 位光延時(shí)芯片

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